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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB025N10N3 G 

产品描述

MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

内部编号

173-IPB025N10N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:1712
1000+¥24.122
最小起订量:1000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1843
1+¥35.4877
10+¥30.1543
25+¥29.6072
100+¥26.12
250+¥24.8209
500+¥22.0858
1000+¥18.6669
2000+¥17.231
5000+¥16.3421
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:1548
1+¥36.575
10+¥33.5255
50+¥33.193
100+¥32.87
250+¥32.547
最小起订量:1
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPB025N10N3 G产品详细规格

规格书 IPB025N10N3 G datasheet 规格书
IPB025N10N3 G
IPB025N10N3 G datasheet 规格书
IPB025N10N3 G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 180A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.5 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 275µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 206nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 14800pF @ 50V
功率 - 最大 300W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装 PG-TO263-7
包装材料 Tape & Reel (TR)

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