#1 |
数量:1712 |
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最小起订量:1000 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1843 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:1548 |
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最小起订量:1 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
IPB025N10N3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 180A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 275µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 206nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 14800pF @ 50V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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